Методами просвечивающей электронной микроскопии и резерфордовского обратного рассеяния обнаружено подавление процессов распада слоев пересыщенных сплавов SiSn, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и имплантированных ионами углерода. В образцах структур, которые не были имплантированы углеродом, но отжигались при 900 ° C, слои SiSn испытывают распад с образованием 3×10¹⁰ см^-2 выделений вторичной фазы β-Sn, а также дислокационных петель. Противоположный эффект наблюдается в случае слоев, выращенных методом МЛЭ и имплантированных ионами углерода. Из данных ПЭМ и РОРКИ следует, что имплантация углерода улучшает термическую стабильность пересыщенных слоев SiSn, предотвращает образование дислокационных петель и подавляет сегрегацию и преципитацию Sn. В качестве основной причины этого эффекта обсуждается деформационно-стимулированное разделение точечных дефектов и образование комплексов примесь-дефект.