14-ая Международная конференция "Взаимодействие излучений с твердым телом" (Interaction of radiation with solids)
Picture of Guest user
You are currently using guest access (Login)
 
 
Picture of Евгения Колесникова
РАДИАЦИОННАЯ СТАБИЛЬНОСТЬ ДАТЧИКОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ n-InSb-i-GaAs
by Евгения Колесникова - Thursday, 16 Сентябрь 2021, 01:57 PM
 

В работе проведены исследования влияние облучения пучком электронов с энергией 5,5 МэВ дозой 2,5×1013 эл./см2 и гамма-квантами Со60 с экспозиционной дозой не менее 9×1014 кв./см2 на магнитные и электрические свойства образцов преобразователя Холла, преобразователя угловых перемещений и терморезистора. Образцы датчиков были изготовлены на основе структур n-InSb-i-GaAs, сформированных методом взрывного термического испарения в рамках Программы Союзного государства «Технология-СГ». Проведенное облучение является имитацией космического радиационного воздействия с поглощенной дозой не менее 5×105 рад. Проведенные исследования показали, что в результате облучения свойства датчиков изменились незначительно, т.е. датчики и структуры n-InSb-i-GaAs обладают высокой стойкостью к указанным радиационным воздействиям.

Picture of Андрей Кулешов
Re: РАДИАЦИОННАЯ СТАБИЛЬНОСТЬ ДАТЧИКОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ n-InSb-i-GaAs
by Андрей Кулешов - Tuesday, 21 Сентябрь 2021, 05:55 PM
 

Женя, поздравляю  тебя с началом конференции.

Кулешов А.К.

(Редактировал(а) Николай Николаевич Черенда, Вторник 21 Сентябрь 2021, 09:48)